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实现1 nm工艺:半导体技术突破极限
来源:365bet线上网投 作者:365bet在线足球开户 发布时间:2019-06-07 阅读次数:962
运行1-nm工艺:半导体技术突破极限
2017-05-0312:12:19来源:超级网:Bolívar编辑:Snowflake评论(0)
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英特尔,台积电和三星三大半导体工厂计划今年大规模生产10纳米工艺,并准备在明年启动7纳米,5纳米将于2020年左右启动。
然而,随着工艺技术的更新,半导体工艺正在接近其极限并且制造困难正在增加。
到目前为止,5nm及以上的工艺尚未得出明确的结论,因此需要更新晶体管材料和工艺。
在这一点上,美国处于最前沿,美国布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布已完成1纳米制造工艺。
根据EETimes的报告,美国能源部(DOE)的一部分布鲁克海文国家实验室的研究人员宣布创造一项新的世界纪录。他们使用普通的打印光束电子.Tecnología非传统的平版印刷版和制作的印刷设备只有1纳米。
该实验室的研究人员创造性地使用电子显微镜来制造尺寸比传统电子束(EBL)工艺更小且对电子设备更敏感的材料。通过聚焦电子束大大减少了它们。
所创建的工具可以显着地改变材料的性质,从通电到光传输和两种状态下的相互作用。
他的成就,印刷1纳米的能量相隔11纳米,以及STEM(电子显微镜投影扫描)的功能,使您可以实现使用的1000亿个功能MM cuadrado.La浓度特征在纳米材料中心进行。
用STEM偏振校正平均值为5nm门控低电阻硅酸盐氢氧化物,实现2nm的分辨率。
PS:这些技术似乎令人兴奋,但实验室开发的技术并不意味着它们可以非常快速地商业化。布鲁克海文实验室的1纳米工艺基于迪恩激光光刻技术,这是一种不是基于硅树脂的半导体材料,而是与当前的光刻工艺非常不同,因为它使用电子束使用基于Δε的硅氧烷材料,例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)进行测试。
事实上,这不是科学家第一次实施1纳米工艺。去年,美国能源部另一个国家实验室劳伦斯伯克利国家实验室也宣布了1纳米工艺。他们使用新的碳纳米管和二硫化钼。
同样,这项技术将很快大规模生产,因为制造商,晶体管碳纳米管将与当前的PMMA光刻电子束如此不同,因为当前的半导体工艺将完全存在.Esto设备根本不可能你需要删除它。
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